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J-GLOBAL ID:200903018933152032

金属坦持膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 古谷 馨 (外3名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001575494
Publication number (International publication number):2003530488
Application date: Apr. 06, 2000
Publication date: Oct. 14, 2003
Summary:
【要約】薄く、自立し、ピンホールのない、水素選択性、パラジウム坦持薄膜を製造する方法であり、この方法は、冷間圧延された膜を、少なくとも1つの膜表面を化学的エッチング又は電気化学的陽極電解により薄くするステップを含み、またこの方法により製造され、その選択された部分のみを薄くされた膜を含む新規の膜である。
Claim (excerpt):
平坦な、実質上ピンホールのない水素選択性パラジウム坦持金属シート状膜をシンニングする方法であって、 少なくともその膜の一方の面の一部分から、十分な量の金属を実質上一様に取り除き、相当に薄いが依然自立し実質上ピンホールのない箔状の膜を形成するステップを含み、該取り除くステップが、化学的溶解又は電気化学的溶解の一方によって実施される方法。
IPC (12):
C23F 1/00 ,  C23F 1/00 101 ,  C23F 1/00 104 ,  C22B 11/00 ,  C22F 1/14 ,  C23F 1/30 ,  C23F 1/46 ,  C25F 3/02 ,  C01B 3/56 ,  C22F 1/00 622 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00
FI (12):
C23F 1/00 E ,  C23F 1/00 101 ,  C23F 1/00 104 ,  C22F 1/14 ,  C23F 1/30 ,  C23F 1/46 ,  C25F 3/02 A ,  C01B 3/56 Z ,  C22F 1/00 622 ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 691 C ,  C22B 11/04
F-Term (21):
4G140FA04 ,  4G140FB01 ,  4G140FC01 ,  4G140FE01 ,  4K001AA41 ,  4K001BA24 ,  4K001CA07 ,  4K001CA49 ,  4K001DB19 ,  4K001DB21 ,  4K057WA01 ,  4K057WA20 ,  4K057WB01 ,  4K057WB11 ,  4K057WC01 ,  4K057WE03 ,  4K057WG02 ,  4K057WG03 ,  4K057WH01 ,  4K057WH07 ,  4K057WN10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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