半導体微小ドットの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995034837
Publication number (International publication number)：1996236501
Application date： Feb. 23, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】簡便な方法で、有用な半導体であるAlGaAsやGaAsからなる半導体微小ドットの製造方法を提供する。【構成】 GaAs基板1上にGaAsバッファ層2を形成し、その上にAlGaAs障壁層3、GaAs量子井戸層4、AlGaAs障壁層5からなる量子井戸構造を形成し、そのAlGaAs障壁層5上に島状InAs結晶6を堆積し、この島状InAs結晶6をマスクとして下地の半導体結晶のみを塩素ガス中で選択的にエッチングし、半導体微小ドットを得る。

Claim (excerpt)：

(a)下地となる半導体結晶上に格子定数の異なる異種の半導体を堆積し島状の異種半導体結晶を形成する第1の工程と、(b)前記島状の異種半導体結晶をマスクとして下地の半導体結晶のみをガス中で選択的にエッチングする第2の工程とを有する半導体微小ドットの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , G02F 1/015 501 , H01L 21/203 , H01L 29/80 , H01S 3/18

FI (5)：

H01L 21/302 F , G02F 1/015 501 , H01L 21/203 M , H01S 3/18 , H01L 29/80 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

化合物半導体基板の微細加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-211533 Applicant：新技術事業団, 角屋豊, 三矢伸司, 吉田孝志

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