Pat

J-GLOBAL ID：200903018940375748

液晶素子

Inventor： 浅尾 恭史 ,  寺田 匡宏 ,  門叶 剛司 ,  森 省誠 ,  森山 孝志 ,  中村 真一
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998177146
Publication number (International publication number)：2000010076
Application date： Jun. 24, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 カイラルスメクチック液晶を用いた液晶素子で階調表示及び良好な動画像を得る。【解決手段】 カイラルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に少なくとも一方の対向面に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板に偏光板を備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第一の状態を示し、第一の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第一の極性とは逆極性の第二の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置を維持することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

カイラルスメクチック液晶と、該カイラルスメクチック液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に少なくとも一方の対向面に該液晶を配向させるため一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板に偏光板とを備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第一の状態を示し、第一の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第一の極性とは逆極性の第二の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置を維持することと、三角波印加時における電圧-素子を通過する光の透過率曲線において、第一の極性の電圧印加時における下記γ値が3以上でかつ下記ヒステリシスパラメータ値Tdiff〔%〕が50%以下であることを特徴とする液晶素子。γ=V95%/V5%V5%:透過率が5%に達する電圧V95%:透過率が95%に達する電圧ヒステリシスパラメータ値Tdiff〔%〕= Td- TuVu:立ち上がり時において透過率50%に達する電圧Vd:立ち下がり時において透過率50%に達する電圧Tu〔%〕: 上記2つの平均電圧(Vu+Vd)/2印加時の立ち上がり曲線での透過率値Td〔%〕: 上記2つの平均電圧(Vu+Vd)/2印加時の立ち下がり曲線での透過率値

F-Term (15)：

2H093NA11 ,  2H093NA16 ,  2H093NA43 ,  2H093NA53 ,  2H093NC34 ,  2H093NC35 ,  2H093NC38 ,  2H093ND06 ,  2H093ND17 ,  2H093ND32 ,  2H093NE04 ,  2H093NF20 ,  2H093NH02 ,  2H093NH15 ,  2H093NH18