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J-GLOBAL ID：200903018947716478

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 中村 修二 ,  岩佐 成人
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993070873
Publication number (International publication number)：1994260680
Application date： Mar. 05, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 p-n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用い、発光素子の輝度、および発光出力を向上させる。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、SiおよびZnがドープされたn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<1の範囲である。)を発光層として具備する。

Claim (excerpt)：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、SiおよびZnがドープされたn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<1の範囲である。)を発光層として具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。