超伝導体磁場応用装置の制御方法とこの方法を用いた核磁気共鳴装置と超伝導磁石装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：堀田実 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000191265
Publication number (International publication number)：2002008917
Application date： Jun. 26, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】従来の超伝導磁石の運転に不可欠な寒剤(液体ヘリウム)を用いることなく、従来の超伝導磁石に匹敵する強い静磁場を形成でき、かつその静磁場の磁束密度を長期間安定して一定に保持することができる超伝導体磁場応用装置の制御方法とこの方法を用いた核磁気共鳴装置と超伝導磁石装置を提供する。【解決手段】真空断熱容器22内に位置する高温超伝導体20により静磁場を発生させる核磁気共鳴装置の制御方法。(A)高温超伝導体をその超伝導遷移温度よりも十分低い着磁低温まで冷却して、高温超伝導体に磁場を着磁する着磁ステップと、(B)次いで、高温超伝導体を前記着磁低温よりは高く前記超伝導遷移温度よりも低い磁束設定温度まで上昇させて所定の磁束密度に設定する磁束設定ステップと、(C)次いで、高温超伝導体を前記磁束設定温度より低い運転温度範囲に制御する運転制御ステップとを備える。

Claim (excerpt)：

真空断熱容器(22)内に位置する高温超伝導体(20)により静磁場を発生させる超伝導体磁場応用装置の制御方法であって、(A)高温超伝導体をその超伝導遷移温度よりも十分低い着磁低温まで冷却して、高温超伝導体に磁場を着磁する着磁ステップと、(B)次いで、高温超伝導体を前記着磁低温よりは高く前記超伝導遷移温度よりも低い磁束設定温度まで上昇させて所定の磁束密度に設定する磁束設定ステップと、(C)次いで、高温超伝導体を前記磁束設定温度より低い運転温度範囲に制御する運転制御ステップとを備えることを特徴とする超伝導体磁場応用装置の制御方法。

IPC (5)：

H01F 6/00 ZAA , A61B 5/055 , G01R 33/3815 , G01R 33/389 , H01B 13/00 565

FI (6)：

H01B 13/00 565 D , H01F 7/22 ZAA Z , A61B 5/05 331 , G01N 24/06 510 C , G01N 24/06 530 Z , G01N 24/06 530 Y

F-Term (8)：

4C096AB42 , 4C096AB45 , 4C096AD08 , 4C096AD23 , 4C096CA02 , 5G321AA02 , 5G321AA04 , 5G321CA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

超電導体磁石装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-232182 Applicant：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 東京瓦斯株式会社, 財団法人鉄道総合技術研究所
核磁気共鳴装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-061895 Applicant：理化学研究所, アイシン精機株式会社
超電導装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-068930 Applicant：株式会社東芝

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