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J-GLOBAL ID：200903018954053980

光起電力素子

Inventor： 斉藤 恵志 ,  狩谷 俊光 ,  松田 高一 ,  岡田 直人 ,  近藤 隆治 ,  西尾 豊 ,  西元 智紀
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992223805
Publication number (International publication number)：1994077510
Application date： Aug. 24, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 過酷な環境下においても高い初期特性を長期間に渡り維持し得る光起電力素子を提供する。また、光起電力素子を高い歩留まりで大量生産可能な光起電力素子を提供する。【構成】 導電性基板101上に、光反射層102、光反射増加層103、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるn型層104、i型層105及びp型層106、及び透明電極107を積層して構成される光起電力素子において、前記光反射層は銀または銅原子を主構成元素とし、酸素原子、窒素原子または炭素原子の内少なくとも1つを含有している。

Claim (excerpt)：

導電性基板上に、光反射層、光反射増加層、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるn型層、i型層及びp型層、及び透明電極を積層して構成される光起電力素子において、前記光反射層は銀原子を主構成元素とし、酸素原子、窒素原子または炭素原子の内少なくとも1つを含有していることを特徴とする光起電力素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-094173
  
• 特開昭58-170075
  
• 特開昭59-029476