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J-GLOBAL ID：200903018955440260

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 野口 隆
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992183896
Publication number (International publication number)：1994029320
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 大粒径の多結晶シリコン薄膜を形成して薄膜トランジスタを形成する場合に、より確実に活性領域内の膜質を均一化してトランジスタの移動度μ等のばらつきを抑えて、高性能化をはかる。【構成】 非晶質シリコン薄膜2上の所定の位置に点状の結晶成長核5を発生させて固相結晶化してシリコン薄膜13を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、結晶成長核5を、薄膜トランジスタの活性領域が形成される領域外の近傍に形成して、固相結晶化を行う。

Claim (excerpt)：

非晶質シリコン薄膜上の所定の位置に点状の結晶成長核を発生させて固相結晶化してシリコン薄膜を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、上記結晶成長核を、上記薄膜トランジスタの活性領域が形成される領域外の近傍に形成して、固相結晶化を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-140916
  
• 特開平2-260526
  
• 特開平4-119633
  
• 特開平4-119633
  
• 特開平2-140916