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J-GLOBAL ID：200903018955619490

表面平滑化高分子成形体の製造方法

Inventor： 柏原 秀樹 ,  杉山 博康 ,  早味 宏 ,  西村 昭
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 西川 繁明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997031210
Publication number (International publication number)：1998212360
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 表面が高度に平滑化された高分子成形体の新規な製造方法を提供すること、及び表面が高度に平滑化されたフッ素樹脂層を有するフッ素樹脂被覆物を提供すること。【解決手段】 電離放射線の照射により崩壊を受ける高分子材料から形成された成形体の表面に、50KeV以上のエネルギーにより加速されたイオンビームを照射して、被照射面を平滑化することを特徴とする表面平滑化高分子成形体の製造方法。基体上に直接またはエラストマー層を介してフッ素樹脂層が被覆されたフッ素樹脂被覆物において、該フッ素樹脂層の表面が50KeV以上のエネルギーにより加速されたイオンビームの照射により平滑化されていることを特徴とするフッ素樹脂被覆物。

Claim (excerpt)：

電離放射線の照射により崩壊を受ける高分子材料から形成された成形体の表面に、50KeV以上のエネルギーにより加速されたイオンビームを照射して、被照射面を平滑化することを特徴とする表面平滑化高分子成形体の製造方法。

IPC (2)：

C08J 3/28 ,  G03G 15/20 103

FI (2)：

C08J 3/28 ,  G03G 15/20 103