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J-GLOBAL ID：200903018970278836

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  高山 徹 ,  浜谷 敏次
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000110445
Publication number (International publication number)：2000357799
Application date： Apr. 12, 2000
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】 アクティブマトリクス型の表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電極とゲート配線を提供することを第1の課題とする。【解決手段】 表示領域に画素TFTを設けた半導体装置において、前記画素TFTのゲート電極131を第1の導電層で形成し、前記ゲート電極131は第2の導電層で形成されるゲート配線148と接続部で電気的に接触し、前記接続部は前記画素TFTの半導体層107の外側に設ける。

Claim (excerpt)：

表示領域に設けた画素TFTと、該表示領域の周辺に設けた駆動回路のTFTとを同一の基板上に有する半導体装置において、前記画素TFTと前記駆動回路のTFTとは、第1の導電層で形成されるゲート電極を有し、前記ゲート電極は、第2の導電層で形成されるゲート配線と接続部で電気的に接触し、前記接続部は、前記画素TFTと前記駆動回路のTFTとが有するチャネル形成領域の外側に設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 348 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/43

FI (9)：

H01L 29/78 612 C ,  G09F 9/00 348 C ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/28 301 R ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 617 L