Pat

J-GLOBAL ID：200903018970636279

200nm未満の波長をもつ紫外放射線のための湿式化学現像可能な、エッチ安定なフォトレジスト

Inventor： ウルリヒ・シエーデリ ,  マンフレート・ホーフマン ,  ノルベルト・ミユンツエル ,  アーノルト・グルーベンマン
Applicant, Patent owner： オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
Agent (1)： 高木 千嘉 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996059053
Publication number (International publication number)：1996262702
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【課題】 プラズマエッチングの際フェノール系樹脂を基にした常用のレジストの安定性の場合と比肩し得る安定性を示すフォトレジスト組成物の提供。【解決手段】 無溶剤状態において約193nmの波長の放射線に対して十分透明であり、そしてレジスト材料よりなる画像型構造物が破壊されない処理条件下芳香族構造要素をもつ基に変換することができる非芳香族化学基(潜在芳香族基)を含有するフォトレジスト組成物からなる。潜在芳香族基をもつ好ましい成分は、ビシクロ[3.2.2]ノナ-6,8-ジエン-3-オンである。

Claim (excerpt)：

無溶剤状態において約193nmの波長の放射線に対して十分透明であり、そしてレジスト材料よりなる画像型構造物が破壊されない処理条件下芳香族構造要素をもつ基に変換することができる非芳香族化学基(潜在芳香族基)を含有するフォトレジスト組成物。

IPC (8)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027

FI (8)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/30 502 R