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J-GLOBAL ID：200903018976060727

化合物半導体装置およびその製造方法

Inventor： 中島 成
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993293442
Publication number (International publication number)：1994232179
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 更なる特性の向上を図ることができる新規なリセスゲート構造を有する化合物半導体装置を提供する。【構成】 ドナー供給層(13)に積層されたキャップ層(14)上に一部開口(A1 )を有する絶縁膜(17)が積層形成されている。該開口部(A1 )を介して該キャップ層(14)をエッチング処理することによりドナー供給層(13)まで達すると同時に、該開口部(A1 )の開口面積より大きな範囲で横方向にまでエッチングされて成るリセス構造が形成されている。更に、このリセス構造内に、真空蒸着により該ドナー供給層(13)に対してのみショットキー接合され且つ、該開口部(A1 )を通って該開口部(A1 )の外側の絶縁膜(17)までオーバーラップするショットキーゲート電極(18)が形成されている。ショットキーゲート電極(18)が該開口部(A1 )を密封するので、ドナー供給層(13)がリセス構造内において露出状態となる部分に不純物が混入せず、電気的特性の劣化を阻止することができる。

Claim (excerpt)：

リセスゲート構造を有する化合物半導体装置であって、ドナー供給層上に積層されたキャップ層と、上記キャップ層上に積層された絶縁層と、ゲート形成領域に対応して上記絶縁層に設けられた開口部と、上記開口部に対応する上記キャップ層の部分に、上記ドナー供給層に達するように形成されると共に、上記ドナー供給層の方向に対して直交する方向における空隙が該開口部の開口領域より広くなるように形成された凹部と、上記開口部及び凹部を介して上記ドナー供給層に直接形成され、且つ上記凹部内における上記キャップ層の側端に接触することなく上記開口部を通って上記絶縁層の外側端までオーバーラップして形成されたショットキーゲート電極と、を具備することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F