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J-GLOBAL ID：200903018981290935
アモルフアスシリコン膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991190134
Publication number (International publication number)：1993036608
Application date： Jul. 30, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 430°C以下の低温で安全かつ低コストにてアモルファスシリコン膜形成を行なう。【構成】 ジシランあるいは稀釈したジシランを流通反応室中にて、270〜430°Cで加熱した後、膜形成室にて350〜430°Cで熱分解させる。
Claim (excerpt)：
ジシランあるいは稀釈したジシランを流通反応室中にて、270°C〜430°Cの加熱温度で流通加熱した後、膜形成室に導入して、350°C〜430°Cの温度で熱分解により基板上に堆積させることを特徴とするアモルファスシリコン膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, H01L 31/04
