Pat

J-GLOBAL ID：200903018988440045

ダイアモンドのエッチング方法

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994159729
Publication number (International publication number)：1996031798
Application date： Jul. 12, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ダイアモンド半導体層の上に形成されたダイアモンド絶縁体層をエッチングするに際し、下層のダイアモンド半導体層に対する選択比を充分に高くしてダイアモンド絶縁体層のみをエッチングする。【構成】 ダイアモンド半導体層102の上に形成されたダイアモンド絶縁体層103をエッチングするにあたり、下層のダイアモンド半導体層102にはあらかじめn型ドーパントとして窒素をドーピングしておき、エッチング時には少なくとも分子内に硫黄を多く含むガスを用いる。硫黄の堆積と除去が同時に起きながらダイアモンド絶縁体層103のエッチングが進み、下層のダイアモンド半導体層102が現れると、ドーピングされている窒素の作用により硫黄の堆積膜105が強固なものとなり、堆積膜105が除去されずに保護膜として残る。

Claim (excerpt)：

ダイアモンド半導体層の上に形成されたダイアモンド絶縁体層をエッチングする方法であって、下層の前記ダイアモンド半導体層にはあらかじめn型ドーパントとして窒素をドーピングしておき、エッチング時には少なくとも分子内に硫黄を多く含むガスを用いることを特徴とするダイアモンドのエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/78 301 F