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J-GLOBAL ID：200903018999896660

ガス検出素子の製造法

Inventor： 金森 正晃
Applicant, Patent owner： エヌオーケー株式会社
Agent (1)： 吉田 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993021962
Publication number (International publication number)：1994213853
Application date： Jan. 14, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 絶縁性基板上に一組の電極およびn型の金属酸化物半導体薄膜を任意の順序で設け、半導体薄膜をガス感応体したガス検出素子であって、ガス感応体の素子抵抗の経時的な安定性を高めたものの製造法を提供する。【構成】 絶縁性基板上に一組の電極およびn型の金属酸化物半導体薄膜を任意の順序で形成させたガス検出素子において、n型金属酸化物半導体薄膜を、水蒸気を含有する空気流中で、350°C以上の温度で高温処理して、ガス検出素子を製造する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に一組の電極およびn型の金属酸化物半導体薄膜を任意の順序で形成させたガス検出素子において、n型金属酸化物半導体薄膜を、水蒸気を含有する空気流中で、350°C以上の温度で高温処理することを特徴とするガス検出素子の製造法。