ポジ型レジスト組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000383801
Publication number (International publication number)：2001290276
Application date： Dec. 18, 2000
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ションにおいて、感度及び解像力に優れ、露光した後の後加熱までに時間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロファイルが得られ、疎密依存性の少ないポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】特定構造の光酸発生剤を2種以上と異なった特定構造の繰り返し構造単位を有し、かつ酸の作用により分解する基を有する重合体を含有するポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)カチオン部がヨードニウム又はスルホニウムで構成され、アニオン部がRFSO3-(式中、RFは、炭素数1〜10のフッ素置換されたアルキル基である)で示されるアニオンで構成されているスルホン酸塩から選択される複数種の活性光線又は放射線の照射により酸を発生する光酸発生剤、及び(B)炭素数6個以上の脂環式炭化水素構造を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂を含有し、上記(A)複数種の光酸発生剤には、アニオン部のRFの炭素数の差が2〜8の範囲にある少なくとも一対の光酸発生剤が存在していることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (17)：

G03F 7/039 601 , C07C309/06 , C08F220/18 , C08F220/30 , C08F222/00 , C08F232/04 , C08K 5/02 , C08K 5/16 , C08K 5/36 , C08L 33/00 , C08L 35/00 , C08L 45/00 , C08L 83/04 , C08L101/00 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027 , C07C381/12

FI (17)：

F-Term (57)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BF05 , 2H025BF11 , 2H025BG00 , 2H025CB10 , 2H025CB43 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4H006AB40 , 4H006AB81 , 4J002BG03W , 4J002BG07W , 4J002BH01W , 4J002BK00W , 4J002CP03X , 4J002EB106 , 4J002ER027 , 4J002EU027 , 4J002EU047 , 4J002EU117 , 4J002EV296 , 4J002FD31X , 4J002GP03 , 4J100AK32Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL83P , 4J100AM43Q , 4J100AM47Q , 4J100AR09R , 4J100AR11R , 4J100BA02R , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA05Q , 4J100BA11Q , 4J100BA11R , 4J100BA15R , 4J100BA16R , 4J100BA34R , 4J100BB01Q , 4J100BC09P , 4J100BC09R , 4J100BC12R , 4J100BC53Q , 4J100BC53R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA37 , 4J100JA38

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