Pat
J-GLOBAL ID：200903019006502251
半導体光増幅器並びにその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991309044
Publication number (International publication number)：1993145192
Application date： Nov. 25, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 ストライプ状の活性層を含む半導体層構造のメサの両側端が階段状に形成された斜め光導波路構造を有する進行波型半導体光増幅器の活性層幅の制御が容易に行なえる製造方法を提供する。【構成】 メサ上面のSiO2 ストライプマスク6を用いてサイドエッチング階段状の斜め光導波路構造を製造する際、SiO2 ストライプの両側端が[011]方向と[01▲バー▼1]方向を交互に繰返す階段状に形成されたものを用いる。これによりSiO2 マスク6の側端が[011]方向になっている部分ではブロム-メタノールエッチングした際、[111]A面が露出して逆メサ形状になり、[01▲バー▼1]方向になっている部分では[111]A面が露出して順メサ形状になりいずれも[111]A面が露出してくるのでサイドエッチングがかかりにくくSiO2 マスク幅と[111]A面の結晶の角度によって活性層幅が決ってくる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、入射された光の強度を増幅して出射するストライプ状の活性層を含む半導体層構造のメサを形成して成る進行波型半導体光増幅器において、前記ストライプ状の活性層を含むメサの両側端が階段状の斜め導波路で形成されていることを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (2)：
Return to Previous Page
