Pat

J-GLOBAL ID：200903019006617873

シリカ膜の形成方法、シリカ膜、絶縁膜および半導体装置

Inventor： 林 英治 ,  塩田 淳 ,  西川 通則 ,  山田 欣司
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001175601
Publication number (International publication number)：2002363286
Application date： Jun. 11, 2001
Publication date： Dec. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁として、2.2以下の非常に低い比誘電率を示し、かつ吸湿の少ないシリカ膜を得る。【解決手段】 (A)シロキサン化合物ならびに(B)界面活性剤を含む膜を超臨界媒質中で処理することを特徴とするシリカ膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

(A)シロキサン化合物ならびに(B)界面活性剤を含む膜を超臨界媒質中で処理することを特徴とするシリカ膜の形成方法。

IPC (12)：

C08G 77/06 ,  B05D 3/02 ,  B05D 3/10 ,  B05D 3/12 ,  B29C 41/02 ,  C08G 77/48 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (12)：

C08G 77/06 ,  B05D 3/02 Z ,  B05D 3/10 H ,  B05D 3/12 A ,  B29C 41/02 ,  C08G 77/48 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G

F-Term (48)：

4D075BB32Z ,  4D075BB56Z ,  4D075BB68Z ,  4D075CA23 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DC22 ,  4D075EA05 ,  4D075EB01 ,  4F205AA33 ,  4F205AB10 ,  4F205AG03 ,  4F205AH33 ,  4F205GA05 ,  4F205GB01 ,  4F205GB11 ,  4J035BA03 ,  4J035CA162 ,  4J035HA01 ,  4J035HA06 ,  4J035LB20 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038DL051 ,  4J038DL071 ,  4J038DL081 ,  4J038DL111 ,  4J038HA166 ,  4J038HA446 ,  4J038KA04 ,  4J038KA09 ,  4J038NA04 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  4J038PB11 ,  4J038PC03 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ02