Pat
J-GLOBAL ID：200903019047040530
磁気メモリ素子の記録再生方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998102319
Publication number (International publication number)：1998255258
Application date： Sep. 21, 1990
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高密度化しようとすると、磁気ヘッドと磁気ディスクとのスペースを小さくする必要があり、そのためには磁気ディスクの表面の面粗さを微細にしなければならない。しかし、面粗さを微細にすると、磁気ディスクの回転始動ができなくなるという問題点を有している。【解決手段】 表面にグルーブ(16)とランド(4)とが設けられた基板(1)を備えると共に、上記グルーブ(16)に情報を記録する磁性膜(2)が設けられた磁気メモリ素子であって、上記基板の磁性膜(2)が設けられている側の面上にはさらに潤滑層(3)が形成され、この潤滑層(3)におけるランド部分の表面がグルーブ部分の表面よりも高くなっている磁気メモリ素子を用い、磁気メモリ素子におけるランド部分に接触させた磁気ヘッドとレーザ照射による光アシストにより上記磁性膜への情報の記録および上記磁性膜からの情報の再生を行う。
Claim (excerpt)：
表面にグルーブとランドとが設けられた基板を備え、上記基板のグルーブに情報を記録する磁性膜が設けられ、上記基板の磁性膜が設けられる側の面は非常に滑らかに研磨されてかつ潤滑層が形成され、この潤滑層を含むランド部分の表面がグルーブ部分の表面よりも高くなっている磁気メモリ素子を用い、上記磁気メモリ素子におけるランド部分に接触させた磁気ヘッドと、レーザ照射による光アシストにより、上記磁性膜への情報の記録および上記磁性膜からの情報の再生を行うことを特徴とする磁気メモリ素子の記録再生方法。
IPC (4)：
G11B 5/82
, G11B 5/02
, G11B 11/00
, G11B 11/10 506
G11B 5/82
, G11B 5/02 S
, G11B 11/00
, G11B 11/10 506 Z
