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J-GLOBAL ID：200903019047210451

ガス貯蔵性有機金属錯体、その製造方法およびガス貯蔵装置

Inventor： 関 建司 ,  井上 直樹 ,  北川 進 ,  近藤 満
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外10名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998360174
Publication number (International publication number)：2000178279
Application date： Dec. 18, 1998
Publication date： Jun. 27, 2000
Summary：

【要約】【課題】安価であるとともに体積当たりのガス吸着能が高く、繰り返し特性の良好なガスの貯蔵技術を提供する。【解決手段】2価の金属イオン、前記金属イオンに配位可能な原子を有する2座配位可能なアミド結合を分子内に有する有機配位子より構成される三次元構造を有する有機金属錯体。

Claim (excerpt)：

2価の金属イオン、前記金属イオンに配位可能な原子を有する2座配位可能なアミド結合を分子内に有する有機配位子より構成される三次元構造を有する有機金属錯体。

IPC (3)：

C07F 3/08 ,  F02M 21/02 ,  F17C 11/00

FI (3)：

C07F 3/08 ,  F02M 21/02 X ,  F17C 11/00 A

F-Term (16)：

3E072AA03 ,  3E072AA10 ,  3E072DA05 ,  3E072EA10 ,  4H048AA01 ,  4H048AA02 ,  4H048AA03 ,  4H048AB90 ,  4H048AC90 ,  4H048VA00 ,  4H048VA20 ,  4H048VA30 ,  4H048VA32 ,  4H048VA56 ,  4H048VA68 ,  4H048VB10