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J-GLOBAL ID：200903019061064859

結晶性薄膜の成形法

Inventor： 中村 孝
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993122756
Publication number (International publication number)：1994329497
Application date： May. 25, 1993
Publication date： Nov. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 異方性が強く結晶構造が異なるために基板との整合性がわるい薄膜であっても該基板上に良好な膜質で単一相の膜を形成することができる結晶性薄膜の製法を提供する。【構成】 基板上に結晶性薄膜を形成する方法であって、該結晶性薄膜の成分元素からなり構造相転移を伴うバッファ層を成膜し、さらに温度を変化させて前記結晶性薄膜を成膜すると共に前記バッファ層を相転移させることにより単一相の薄膜とする。

Claim (excerpt)：

基板上に結晶性薄膜を形成する方法であって、該結晶性薄膜の成分元素からなり構造相転移を伴うバッファ層を成膜し、さらに温度を変化させて前記結晶性薄膜を成膜すると共に前記バッファ層を相転移させることにより単一相の薄膜とすることを特徴とする結晶性薄膜の形成法。

IPC (6)：

C30B 25/02 ,  C30B 25/18 ,  G11C 11/22 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/108