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J-GLOBAL ID：200903019088343717
薄膜デバイスの転写方法,薄膜デバイス,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997193081
Publication number (International publication number)：1999026734
Application date： Jul. 03, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 薄膜デバイスの製造時に使用する基板と、製品の実使用時に使用する基板とを、独立に自由に選択でき、しかも薄膜デバイスの特性を劣化させることのない新規な技術を提供すること【解決手段】 基板(100)上に分離層(120)を設けておき、その基板上にTFT等の薄膜デバイス(140)を形成する。例えば基板側からレーザー光(10)を照射し、これによって分離層において剥離を生じせしめる。その薄膜デバイスを接着層(160)を介して転写体(180)に接合し、基板(100)を離脱させる。これにより、どのような基板にでも所望の薄膜デバイスを転写できる。レーザー光(10)はビーム走査され、N番目のビーム照射領域20(N)は、他の照射領域例えばN+1回目のビーム照射領域20(N+1)と相互に重ならないようにして、ビーム走査される。
Claim (excerpt)：
基板上に分離層を形成する第1工程と、前記分離層上に薄膜デバイスを含む被転写層を形成する第2工程と、前記薄膜デバイスを含む被転写層を接着層を介して転写体に接合する第3工程と、前記分離層に光を照射し、前記分離層の層内および/または界面において剥離を生じさせる第4工程と、前記基板を前記分離層から離脱させる第5工程と、を有し、前記基板上の前記薄膜デバイスを含む前記被転写層を前記転写体に転写する方法であって、前記第4工程は、前記分離層に局所的に照射されるビームを順次走査してなり、かつ、前記ビームにより照射されるN(Nは1以上の整数)番目のビーム照射領域と他の照射領域とが互いに重ならないようにしてビーム走査されることを特徴とする薄膜デバイスの転写方法。
IPC (4)：
H01L 27/12
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 27/12 B
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 621
, H01L 29/78 627 D
, H01L 29/78 627 Z
