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J-GLOBAL ID：200903019090971539
有磁場マイクロ波放電反応装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993228331
Publication number (International publication number)：1995065993
Application date： Aug. 20, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 有磁場マイクロ波放電反応装置において放電を安定させると共に大量の基板を処理する場合に安定性の高い放電を維持しかつ再現性を高める。【構成】 内部が減圧状態に保持され、プラズマ処理室を含む真空容器1と、この真空容器にガスを導入するガス導入機構と、プラズマ処理室に磁場を生成する磁場発生機構2,3と、基板を支持する基板支持機構4と、真空容器の内部にマイクロ波を供給するマイクロ波電力供給系6,8,9,10,11 を備え、さらに、プラズマ処理室で発生するプラズマの発光強度を測定するための発光強度測定手段14と、この発光強度測定手段の出力信号に基づき発光強度のゆらぎが小さくなるようにマイクロ波電力供給系におけるマイクロ波導波路の整合状態を調整する制御手段12,12aとを有する。
Claim (excerpt)：
内部が減圧状態に保持され、プラズマ処理室を含む真空容器と、この真空容器にガスを導入するガス導入機構と、前記プラズマ処理室に磁場を生成する磁場発生機構と、基板を支持する基板支持機構と、前記真空容器の内部にマイクロ波を供給するマイクロ波電力供給系を備え、発生したプラズマで前記基板を処理する有磁場マイクロ波放電反応装置において、前記プラズマ処理室で発生する前記プラズマの発光強度を測定するための発光強度測定手段と、この発光強度測定手段の出力信号に基づき前記発光強度のゆらぎが小さくなるように前記マイクロ波電力供給系におけるマイクロ波導波路の整合状態を調整する制御手段とを有することを特徴とした有磁場マイクロ波放電反応装置。
IPC (4)：
H05H 1/46
, C23C 14/35
, C23C 16/50
, C23F 4/00
Cited by examiner (9)
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