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J-GLOBAL ID：200903019098567400
多孔質シリコンの作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994018027
Publication number (International publication number)：1995226101
Application date： Feb. 15, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：
【要約】【目的】 PL強度が強くかつ安定している多孔質シリコンを作製する方法を提供する。【構成】 少なくとも弗酸を含む溶液中に結晶性シリコンを浸漬し、該結晶性シリコンが陽極となるように電流を流して陽極化成し、該結晶性シリコン表面に多孔質シリコン層を形成する多孔質シリコン作製方法において、該結晶性シリコン表面に波長700〜1200nmの赤外光を照射しつつ陽極化成を行う工程を含む。
Claim (excerpt)：
少なくとも弗酸を含む溶液中に結晶性シリコンを浸漬し、該結晶性シリコンが陽極となるように電流を流して陽極化成し、該結晶性シリコン表面に多孔質シリコン層を形成する多孔質シリコン作製方法において、該結晶性シリコン表面に波長700〜1200nmの赤外光を照射しつつ陽極化成を行う工程を含む多孔質シリコン作製方法。
IPC (2)：
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