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J-GLOBAL ID：200903019119057106

核が形成されるシリコン表面の形成方法

Inventor： ブハエンコ,デービッド・ステファン ,  エリス,ピーター・ジョン ,  サウスワース,ポール ,  ビア,キャロライン・エリザベス
Applicant, Patent owner： コーベ スティール ヨーロッパ リミテッド
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994525113
Publication number (International publication number)：1996509951
Application date： May. 05, 1994
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】半導体表面の成長に対して構造が開示される。単結晶シリコン基板のような基板はその表面に核を発生させるために、炭素含有プラズマの存在下において電気的にバイアスを印加する処理がなされる。原子間力顕微鏡(AFM)を使用して直接観察によって、相互に平行であり、矩形の炭素含有小板の薄膜からなる核発生した表面が基板上に成長することが観察された。傾斜角度が基板に対して5°未満の小板によって表面が実質的に覆われることによって、最適に核発生した表面が決定される。このような表面は、明確な構造を有する半導体膜、特にダイヤモンドの半導体膜を成長させるための台として使用することができる。

Claim (excerpt)：

その表面が炭素を含有する略矩形の小板の付着薄膜を担持している基板を有し、前記薄膜の構造は、原子間力顕微鏡(AFM)によって観察することができることを特徴とする構造。

IPC (5)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C30B 29/04 Q ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205