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J-GLOBAL ID：200903019121972474

半導体補助記憶装置

Inventor： 川口 敦生 ,  元田 浩
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994003399
Publication number (International publication number)：1995210468
Application date： Jan. 18, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 どのような書き込みが行われても特定の記憶セルのみに書き込みが集中することがないようにして、書き込み回数に制限のある半導体記憶装置を半導体補助記憶装置に用いることができるようにすること。【構成】 装置内の記憶部101で、記憶セルの環を論理的に構成し、データの書き込みに対しては環上の記憶セルを順番に使用していく。装置内にブロック番号と環上の記憶セルの位置を対応付ける表を保持するアドレス変換部103を設け、後の読み出しにおいてブロック番号から環状の記憶セルの位置を得て正しいデータの読み出しを行えるようにする。

Claim (excerpt)：

一定量の連続するデータブロックにブロック番号を付して格納場所を指定する半導体記憶装置を記憶媒体とする半導体補助記憶装置において、記憶媒体である半導体記憶装置を一連のデータブロックの環と論理的に捉え、新しいデータブロックの書き込みに対して環上のデータブロックを順次割り当てることによって行い、指定された番号と環上のデータブロック番号を対応付ける表に記録することによって、後の指定されたデータの読み出しを可能にすることを特徴とする半導体補助記憶装置。

IPC (3)：

G06F 12/16 310 ,  G06F 3/08 ,  G11C 16/06