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J-GLOBAL ID：200903019126772228
放射線検出素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992003929
Publication number (International publication number)：1993188148
Application date： Jan. 13, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 放射線検出素子を改良する。【構成】 複数の凹部が表面側に形成された基板と、この基板の裏面に半導体薄膜31を堆積して形成され、複数の光電変換部を有する受光素子アレイと、複数の凹部に埋め込まれたシンチレータ43とを備える。シンチレータ43が埋め込まれた基板の裏面に、半導体薄膜31の堆積による固体撮像素子アレイが設けられるので、貼り合わせによる位置ずれや、接着剤による光損失を本質的に克服できる。そして、反射膜44を設けることにより、シンチレーション光を効率よく光電変換部に入射でき、凹部の側壁を表面側で薄くすることにより、放射線の入射効率を高め得る。
Claim (excerpt)：
複数の凹部が表面側に形成された基板と、この基板の裏面に半導体薄膜を堆積して形成され、複数の光電変換部を有する受光素子アレイと、前記複数の凹部に埋め込まれたシンチレータとを備えることを特徴とする放射線検出素子。
IPC (3)：
G01T 1/20
, H01L 27/14
, H01L 31/09
H01L 27/14 K
, H01L 31/00 A
Cited by examiner (6)
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