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J-GLOBAL ID：200903019131554611

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 杉山 直治 ,  手塚 勉 ,  加籐 理一 ,  黒部 篤 ,  棚本 哲史
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998067473
Publication number (International publication number)：1999040809
Application date： Mar. 17, 1998
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】従来の量産工程に容易に取り込める半導体微結晶の製造方法、及びこれを利用した半導体装置を提供する。【解決手段】基板(10、11)上に、非晶質および多結晶のいずれかよりなるIV族原子の層(12)を、500°C以下の低温で厚さ0.3nm以上5nm以下に形成した後に、600°C以上850°C以下の高温加熱により前記IV族原子の層を塊状化せしめて、IV族原子からなり、二次元状に分布しかつ互いに独立した直径50nm以下の半球状微細結晶(13)を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成され、第1の半導体微結晶の上に第2の絶縁層を介して第2の半導体微結晶が積み上げられた少なくとも1つの二重半導体微結晶と、前記少なくとも1つの二重半導体微結晶を覆うように、前記第1の絶縁層の上に選択的に形成された第3の絶縁層と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66

FI (4)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66