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J-GLOBAL ID：200903019132266652
絶縁ゲート形トランジスタの駆動方法と絶縁ゲート形トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中本 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994076309
Publication number (International publication number)：1995263687
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】 チャネル形成層を構成する不純物の不純物準位が深いために大きな温度依存性を示す絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、素子の温度依存性を抑制し、ゲート電圧損失を含めた総合的な電圧損失を低減する。【構成】 前記絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、オン状態を保つためのゲート入力信号の大きさを、素子の温度の上昇とともに大きくする。また、絶縁ゲート形半導体素子のチャネル形成層の不純物密度を規定値以下に制限する。
Claim (excerpt)：
第一導電形の半導体からなる第一の半導体層と、これに接する第二導電形の半導体からなる第二の半導体層と、第二の半導体層によって第一の半導体層と分離された位置に位置する第一導電形の第三の半導体層と、第一の半導体層と第二の半導体層と第三の半導体層に接するように設けられた絶縁膜と、絶縁膜を介して第二の半導体層と相反する面に設けられたゲート電極とを有し、前記第二の半導体層内に導入された第二導電形を示す不純物が室温以上でキャリヤ密度が増加するほど深い不純物準位である絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、前記絶縁ゲート形電界効果トランジスタのオン状態を動作領域の直線領域に保つためのゲート入力信号の大きさを、素子の温度の上昇とともに大きくすることを特徴とする絶縁ゲート形電界効果トランジスタの駆動方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 29/78 321 B
, H01L 23/56 D
, H01L 29/78 321 K
