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J-GLOBAL ID：200903019134264118

導電性薄膜の気相成長方法

Inventor： 大塚 信幸
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996057172
Publication number (International publication number)：1997246211
Application date： Mar. 14, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 導電性薄膜の気相成長方法に関し、装置を大型化或いは特殊化することなく、安全性の高い方法によって基板前処理をする。【解決手段】 基板1上に設けた導電性領域3に導電性薄膜6を気相成長させる前に、ハロゲンを含む有機金属ガス4を供給して導電性領域3表面を処理する。

Claim (excerpt)：

基板上に設けた導電性領域に導電性薄膜を気相成長させる前に、ハロゲンを含む有機金属ガスを供給して前記導電性領域表面を処理することを特徴とする導電性薄膜の気相成長方法。

IPC (6)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306

FI (6)：

H01L 21/285 301 L ,  H01L 21/285 C ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/302 P