プラズマ処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：亀谷美明 (外1名) , 亀谷美明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998377510
Publication number (International publication number)：2000200772
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】フォトレジスト膜層を損傷することなくエッチストップの発生を防止することが可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】エッチング装置300の処理室102内にC4F8とCOとArから成る処理ガスを導入した後にプラズマを生成し,下部電極106上のウェハWに形成されたSiO2膜層202をエッチングする。分析器302は,プラズマ中を通過した赤外レーザ光から赤外レーザ吸収分析法によりプラズマ中のエッチャントと副生成物の各含有量を測定する。制御器302は,測定される各含有量と,予め設定されているコンタクトホール204のアスペクト比の増加に対応するエッチャントと副生成物の各含有量とが同一になるようにO2の添加量を調整し,アスペクト比の増加に応じて添加量が連続的に増加されるO2が処理ガスに添加される。

Claim (excerpt)：

処理室内に導入された少なくともフルオロカーボンを含む処理ガスをプラズマ化して,前記処理室内に配置された被処理体に形成された酸化シリコン膜層に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において,前記処理ガスには,酸素が間欠的に添加されることを特徴とする,プラズマ処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 C , C23F 4/00 E , H05H 1/46 A

F-Term (37)：

4K057DA11 , 4K057DA12 , 4K057DA20 , 4K057DB20 , 4K057DD03 , 4K057DD08 , 4K057DE06 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DG07 , 4K057DJ02 , 4K057DJ03 , 4K057DJ06 , 4K057DM02 , 4K057DM03 , 4K057DM08 , 4K057DM22 , 4K057DM23 , 4K057DM35 , 4K057DN01 , 5F004AA00 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BA08 , 5F004BA09 , 5F004BA13 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB28 , 5F004CA02 , 5F004CB02 , 5F004CB03 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DB03 , 5F004EB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-334969 Applicant：三菱電機株式会社
局所微量ガス添加ドライエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-065745 Applicant：株式会社日立製作所
エッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-302138 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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