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J-GLOBAL ID：200903019137295561

電界放出素子

Inventor： 伊藤 茂生 ,  渡辺 照男 ,  谷口 昌照
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 西村 教光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991276233
Publication number (International publication number)：1993094760
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 カソード電極とエミッタの間の抵抗層として均一な厚さの酸化膜を有する電界放出素子(FEC)を提供する。【構成】 FEC1は、ガラス基板2上にカソード電極3を有し、その上には、タンタル膜4と抵抗層となる酸化タンタル層5がある。酸化タンタル層5上には絶縁層6とゲート電極7があり、これらに形成されたホール8内の酸化タンタル層5上にエミッタ9が設けられる。酸化タンタル層5は、陽極酸化法を用いるこによりタンタル膜4に所望の精密な厚さで緻密に形成できる。

Claim (excerpt)：

絶縁性の基板と、前記基板上に設けられたカソード電極と、前記カソード電極上に設けられた抵抗層と、前記抵抗層を介して前記カソード電極に接続されたエミッタとを具備する電界放出素子において、前記抵抗層が酸化タンタルの薄膜を有することを特徴とする電界放出素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-154426
  
• 特開昭51-014281
  
• 特開平3-071529