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J-GLOBAL ID：200903019138561427

極限紫外リソグラフィー装置

Inventor： スティーヴン・ダブリュー・フォーナカ ,  サミュエル・タルマッジ
Applicant, Patent owner： ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001333642
Publication number (International publication number)：2002237448
Application date： Oct. 31, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 イオンスパッタリングの腐食効果を減少させる極限紫外リソグラフィー装置を提供する。【解決手段】 本発明は、レーザー生成光源(32)の近くに位置する複数のハードウエア素子を、レーザー生成光源から放出されるエネルギ粒子の腐食効果から保護するために薄膜保護コーティング(46)を利用する極限紫外リソグラフィー装置に関する。

Claim (excerpt)：

極限紫外リソグラフィー装置において、短波長放射線を発生させるためのレーザー生成プラズマ光源;上記レーザー生成プラズマ光源の近くにそれぞれ位置し、高熱伝導性材料でそれぞれ作られ、外表面上に付着された薄膜材料層をそれぞれ有する複数のハードウエア素子であって、上記薄膜材料層が、当該薄膜材料層と上記ハードウエア素子の外表面との間の熱的接触を減少させることなく、短波長放射線のプラズマの腐食効果から当該ハードウエア素子を保護するようになった複数のハードウエア素子;を有することを特徴とする極限紫外リソグラフィー装置。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 503 ,  G21K 5/00 ,  H01S 3/094 ,  H05H 1/24

FI (5)：

G03F 7/20 503 ,  G21K 5/00 Z ,  H05H 1/24 ,  H01L 21/30 531 S ,  H01S 3/094 Z

F-Term (11)：

2H097CA15 ,  2H097LA10 ,  5F046GA03 ,  5F046GA09 ,  5F046GC03 ,  5F046GD10 ,  5F072FF05 ,  5F072PP10 ,  5F072RR05 ,  5F072SS06 ,  5F072YY09