Pat
J-GLOBAL ID：200903019143030286
不揮発性記憶装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 幸男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992081472
Publication number (International publication number)：1993250884
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【構成】 メモリ部16は、フラッシュEEPROMで構成され、このメモリ部16にデータを書き込む場合は、そのデータをバッファ部17に待避させてからデータ消去を行う。ここで、バッファ部17は所定の単位量、例えば1バイト単位でリード/ライトが可能なメモリで構成されているため、バッファ部17にデータを書き込む際の消去処理が不要となる。【効果】 データ書込み時の処理が高速となる。
Claim (excerpt)：
フラッシュEEPROMで構成され、データを格納するメモリ部と、所定の単位量でリード/ライトが可能なメモリで構成され、前記メモリ部のデータを消去する場合に、そのデータを待避させるバッファ部とを備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。
FI (3)：
G11C 17/00 309 A
, G11C 17/00 309 B
, G11C 17/00 309 F
