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J-GLOBAL ID：200903019171319011

不揮発性メモリセル

Inventor： 師岡 久雄 ,  篠原 久人 ,  池田 正明 ,  店村 悠爾 ,  長野 克人
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 南條 眞一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991335928
Publication number (International publication number)：1994089982
Application date： Nov. 27, 1991
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 大容量かつ充分な書き込み/読み出し速度を有し、強誘電体膜の自発分極が安定でかつ強誘電体薄膜に歪みあるいはクラックが入らない不揮発性メモリを得る。【構成】 不揮発性メモリセルを、絶縁基板上に形成された半導体層に、離間して形成されたソース領域及びドレイン領域上に各々ソース電極及びドレイン電極を形成し、半導体層上のソース電極とドレイン電極の間の離間した部分にゲート絶縁膜、ゲート電極、強誘電体薄膜及び記憶電極により構成する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成された半導体層、該半導体層表面に離間して形成されたソース領域及びドレイン領域、前記ソース領域及び前記ドレイン領域上に各々形成されたソース電極及びドレイン電極、前記半導体層上の前記ソ-ス領域と前記ドレイン領域の間の離間した部分の表面に形成されたゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、該ゲート電極上に形成された強誘電体薄膜、該強誘電体薄膜上に形成された記憶電極からなることを特徴とする不揮発性メモリセル。

IPC (6)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/784 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 441 ,  H01L 27/10 325 H ,  H01L 29/78 311 J ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭57-172771
  
• 特開平3-187261
  
• 特開平1-268064
  
• 特開平3-035535