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J-GLOBAL ID:200903019178485260

高圧処理方法及び装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 安田 敏雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001128275
Publication number (International publication number):2002324774
Application date: Apr. 25, 2001
Publication date: Nov. 08, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体基板等の被処理体を圧力容器の被処理室内で高圧流体を用いて処理する場合、粉塵等の発生源となるシール部材を不要にするとともに、被処理体を回転させるためのモータ等の回転駆動源を被処理室内に設置する必要がない処理方法及び処理装置を提供すること。【解決手段】 処理容器1の処理室2において、被処理体5を支持している支持体4を流体によって浮上させるとともに、流体によって支持体4を容器軸心廻りに回転するようにしている。
Claim (excerpt):
処理容器(1)の内部に画成した処理室(2)内に、被処理体(5)を支持している支持体(4)を収容して前記被処理体(5)を処理する方法において、前記支持体(4)を処理室(2)内で流体によって浮上した状態で処理することを特徴とする高圧処理方法。
IPC (4):
H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 651 ,  B08B 5/02 ,  F26B 21/14
FI (4):
H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 651 Z ,  B08B 5/02 Z ,  F26B 21/14
F-Term (22):
3B116AA03 ,  3B116AA47 ,  3B116AB33 ,  3B116AB47 ,  3B116BB21 ,  3B116BB87 ,  3B116BB90 ,  3B116CC01 ,  3B116CC03 ,  3L113AA03 ,  3L113AB02 ,  3L113AB08 ,  3L113AC28 ,  3L113AC45 ,  3L113AC46 ,  3L113AC54 ,  3L113AC55 ,  3L113AC67 ,  3L113AC68 ,  3L113BA34 ,  3L113DA01 ,  3L113DA24

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