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J-GLOBAL ID：200903019179865856

面発光半導体レーザ

Inventor： 畑 雅幸 ,  梶川 靖友
Applicant, Patent owner： 光技術研究開発株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991294814
Publication number (International publication number)：1993110198
Application date： Oct. 16, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 偏波方向が制御されたレーザ光を出射する面発光半導体レーザを提供する。【構成】 活性層14を、膜厚5nmのAl組成35%のAlGaAs層と、膜厚5nmのGaAs層とからなる(110)方向の多重量子井戸とする。または、半導体多層膜反射鏡12の少なくとも一層を(110)方向のAl0.1Ga0.9 As/Al0.35Ga0.65As量子井戸とする。

Claim (excerpt)：

活性層中に閃亜鉛鉱型結晶構造の半導体による(001)方向及び(111)方向を除く所定方向の量子井戸を形成したことを特徴とする面発光半導体レーザ。