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J-GLOBAL ID：200903019194842820

モノヒドロキシアセトンの製造方法

Inventor： 安達 和範 ,  木岡 由紀代
Applicant, Patent owner： 広栄化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003136455
Publication number (International publication number)：2004339118
Application date： May. 14, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：

【課題】1,2-プロパンジオールを触媒存在下気相脱水素してヒドロキシアセトンを製造する際に、少量の銅担持量の触媒でヒドロキシアセトンを効率的に製造すること。【解決方法】1,2-プロパンジオールを触媒の存在下で気相脱水素反応させてモノヒドロキシアセトンを製造するにあたり、触媒としてアンモニア昇温脱離法によるアンモニア脱離量が0.10モル・kg-1以下である酸化銅-シリカ触媒を使用することを特徴とするモノヒドロキシアセトンの製造方法。

Claim (excerpt)：

1,2-プロパンジオールを触媒の存在下で気相脱水素反応させてモノヒドロキシアセトンを製造するにあたり、触媒としてアンモニア昇温脱離法によるアンモニア脱離量が0.10モル・kg-1以下である酸化銅-シリカ触媒を使用することを特徴とするモノヒドロキシアセトンの製造方法。

IPC (3)：

C07C45/29 ,  C07B61/00 ,  C07C49/17

FI (3)：

C07C45/29 ,  C07B61/00 300 ,  C07C49/17 A

F-Term (8)：

4H006AA02 ,  4H006AC44 ,  4H006BA05 ,  4H006BA30 ,  4H006BA55 ,  4H006BA80 ,  4H039CA62 ,  4H039CC20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭50-005311
  
• 特公昭43-003163
  
• 特公昭45-028761