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J-GLOBAL ID:200903019197681592
固体磁気記録素子
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995054201
Publication number (International publication number):1996249875
Application date: Mar. 14, 1995
Publication date: Sep. 27, 1996
Summary:
【要約】【目的】バイポーラスピンスイッチ構造を有し、かつメモリ機能を有する高性能の固体磁気記録素子を提供すること、および検出感度が高く、制御性の優れた固体磁気記録素子を提供すること。【構成】第1の金属強磁性層2aと、第2の金属強磁性層2bと、これらの間に介装された非磁性層3とが積層されて固体磁気記録素子が構成される。第1の金属強磁性層2aと非磁性層3との間に通電されることにより第2の金属強磁性層2bに基準電位からの電位変化が誘導され、第1の金属強磁性層2aと第2の金属強磁性層2bの磁化の向きが平行あるいは反平行配置のとき、電位変化の極性が異なり、第1および第2の金属強磁性層2a,2bは同一方向に膜面内の一軸磁気異方性が付与されている。
Claim (excerpt):
第1の金属強磁性層と、第2の金属強磁性層と、これらの間に介装された非磁性層とが積層されて構成され、第1の金属強磁性層と非磁性層との間に通電されることにより第2の金属強磁性層に基準電位からの電位変化が誘導され、第1の金属強磁性層と第2の金属強磁性層の磁化の向きが平行あるいは反平行配置のとき、電位変化の極性が異なる固体磁気記録素子であって、第1および第2の金属強磁性層は同一方向に膜面内の一軸磁気異方性が付与されていることを特徴とする固体磁気記録素子。
IPC (5):
G11C 11/14
, G11B 5/02
, G11B 5/66
, G11B 11/12
, H01L 43/00
FI (5):
G11C 11/14 A
, G11B 5/02 U
, G11B 5/66
, G11B 11/12
, H01L 43/00
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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Physical Review Letters, 19930405, Volume 70, Number 14, p.2142-2144
-
Applied Physics Letters, 19900528, Volume 56, Number22, p.2213-2215
-
A Half-Metallic Band Structure and Fe2MnZ(Z=Al,Si,P)
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