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J-GLOBAL ID：200903019199131140

トランジスターの製造方法

Inventor： クオ-ファ リー ,  チェン-ファ ダグラス ユー
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992339367
Publication number (International publication number)：1993251376
Application date： Dec. 21, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 p+ トランジスターゲートの製造方法において、p型ドーピング剤物質がゲート酸化物(13)を通って基材(11)に浸透するのを防止する。【構成】 基材(11)の上に位置するポリシリコン層(15)の形成を含む半導体集積回路の製造方法であって、前記ポリシリコン層(15)の上に無定形の耐熱性金属ケイ化物層(17)を形成すること、p型ドーピング剤物質(23)を前記耐熱性金属ケイ化物(17)に向けること、前記p物質の大部分が前記ポリシリコン層に移動するのに十分高い温度でアニールすることを特徴とする方法である。

Claim (excerpt)：

基材(11)の上に位置するポリシリコン層(15)の形成を含む半導体集積回路の製造方法であって、前記ポリシリコン層(15)の上に無定形の耐熱性金属ケイ化物層(17)を形成すること、p型ドーピング剤物質(23)を前記耐熱性金属ケイ化物(17)に向けること、前記p物質の大部分が前記ポリシリコン層に移動するのに十分高い温度でアニールすることを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 21/225 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-131561
  
• 特開昭62-131561