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J-GLOBAL ID：200903019199959040

集束電極を有する電界放出カソード及び集束電極を有する電界放出カソードの製造方法

Inventor： 伊藤 茂生 ,  渡辺 照男 ,  谷口 昌照 ,  大津 和佳 ,  新山 剛宏
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 脇 篤夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993191848
Publication number (International publication number)：1995029484
Application date： Jul. 07, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 アノード・カソード間の耐圧を低下することなく、エミッタから放出される電子の広がりを防止した電界放出カソードを提供すること。【構成】 ゲート電極5の上にエミッタ8から放出された電子を集束する集束電極7を第2絶縁層6を介して一体に形成する。さらに、集束電極7の径をゲート電極5の径の略1.2〜2倍にするようにして、エミッタ8から放出された電子を集束すると共にクロストークが発生しないようにする。

Claim (excerpt)：

基板の上に形成されたカソード電極と、該カソード電極の上に、第1の絶縁層を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の上に、第2の絶縁層を介して形成された集束電極と、上記第1の絶縁層と上記ゲート電極とに設けられた第1の開口部と、該第1の開口部と同軸の中心を有する、上記第2の絶縁層と上記集束電極とに設けられた第2の開口部と、上記第1の開口部内であって、かつ、上記カソード電極上に形成されたエミッタとを備え、上記第2の開口部の径を上記第1の開口部の径に対して、略1.2〜2倍としたことを特徴とする集束電極を有する電界放出カソード。

IPC (2)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電界放出型電子源及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-204350   Applicant：シヤープ株式会社