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J-GLOBAL ID：200903019206776844
発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992185821
Publication number (International publication number)：1994005920
Application date： Jun. 19, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 p型ZnSe層を用いた発光素子において、p側電極のオーム性接触を実現することにより、動作に必要な印加電圧の低減を図るとともに、素子特性の向上を図る。【構成】 n型ZnSe層2とp型ZnSe層3とから成るpn接合を有するZnSe系発光素子において、p型ZnSe層3上にp型ZnTe層4を設け、このp型ZnTe層4上にp側電極としてのAu電極5を設ける。
Claim (excerpt)：
p型ZnSe層を用いた発光素子において、上記p型ZnSe層上にp型ZnTe層が設けられ、上記p型ZnTe層上に金属から成るp側電極が設けられていることを特徴とする発光素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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