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J-GLOBAL ID：200903019210277682

電子散乱のスピン依存性のある磁気抵抗性多層系を有する磁界感応センサの薄膜構造

Inventor： フーゴ ファン デン べルク ,  ナタリー ペルサ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999279158
Publication number (International publication number)：2000114618
Application date： Sep. 30, 1999
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高い磁気抵抗効果並びに多数及び少数電子の電子散乱がスピン依存性を示し、隣接する層間の少なくとも電子をそのスピンに依存して反射する界面並びに反射されない電子の拡散散乱を十分の行う領域を含む、多層系を有する磁場感応センサをその少ない数の薄膜でも信号強度を高める薄膜構造を提供する。【解決手段】 隣接する層(磁気層Mと中間層Z)間に少なくともスピンに依存して反射する界面(R1、R2)があり、それらの材料が、-最高で3%の偏差で互いに整合する格子寸法を有し、-これらの層の製造条件で混ざり合うことがなく、-磁気層(M1、M2)がスピン選択的に反射及び散乱する領域(Br、Bs)に分離されていることにより解決される。

Claim (excerpt)：

高い磁気抵抗効果並びに多数及び少数電子の電子散乱がスピン依存性を示し、また隣接する層間の電子をそのスピンに依存して反射する界面並びに反射されない電子を十分に散乱させる領域を含む、多層系の磁界感応センサの薄膜構造において、磁性材料もしくは非磁性材料から成り隣接する層間(M1とZもしくはM2とZ)に、スピンに依存して反射する界面(R1、R2;R′、R′)が存在し、その際物質が最高で3%の偏差で互いに整合した格子寸法を有し、これらの層の製造条件で非混合性であることを特徴とする多層系を有する磁界感応性センサの薄膜構造。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/32

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R