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J-GLOBAL ID：200903019210609146

トンネルトランジスタ

Inventor： 馬場 寿夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991265749
Publication number (International publication number)：1993110086
Application date： Oct. 15, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 トンネル電流が大きく、高速動作が可能なトンネルトランジスタを提供すること。【構成】 p- -Si基板1上にp+ -Siソース領域(第1の半導体2)、n+ -Siドレイン領域(第2の半導体3)を形成する。MBEで厚さ10nm、3×101 9 cm- 3 のn+ -Si(第3の半導体4)を成長し、表面を熱酸化して10nmのSiO2 (絶縁膜5)を形成する。第3の半導体4の厚さは5nmとなる。SiO2 上にゲート電極6を形成後、Al蒸着によりソース及びドレイン電極7、8を形成する。ソース・ドレイン間に電圧を印加すると、第3の半導体4(n+ -Si)が第1の半導体2および第2の半導体3に接しているため、第1の半導体2と第3の半導体4の間のp+ -n+ トンネル接合および第3の半導体4と第2の半導体3の間のn+ -n+ オーミック接合を通して、ソース・ドレイン間には大きな電流が流れる。

Claim (excerpt)：

不純物濃度の低い基板の一部に一導電型を有する縮退した第1の半導体と該第1の半導体と反対の導電型を有し縮退した第2の半導体を有し、第1の半導体と第2の半導体上にまたがって第2の半導体と同一導電型を有する縮退した薄い第3の半導体を有し、第1の半導体の上の第3の半導体表面に第3の半導体よりも禁止帯幅が広い材料からなる絶縁層とこの絶縁層上の電極を有し、第1の半導体と第2の半導体にそれぞれオーミック接合を形成する1対の電極を有することを特徴とするトンネルトランジスタ。