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J-GLOBAL ID：200903019214778953
ガスセンサの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
塩入 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991141434
Publication number (International publication number)：1993087762
Application date： May. 16, 1991
Publication date： Apr. 06, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ガスセンサへの高活性な貴金属触媒の添加方法を得る。【構成】 膜厚10〜20μm程度のSnO2膜に、膜厚20μm程度のγ-アルミナフィルタ層を積層し、焼結後にオクチル酸Pdのブタノ-ル溶液を含浸、熱分解してPd触媒を担持させる。同様にフィルタ層なしのSnO2膜に、オクチル酸Pdのブタノ-ル溶液を含浸、熱分解しSnO2膜にPdを担持させる。
Claim (excerpt)：
担体に貴金属触媒を担持させる工程を含んだガスセンサの製造方法において、有機貴金属化合物を、担体の形成後に添加し、分解して貴金属触媒とすることを特徴とする、ガスセンサの製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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