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J-GLOBAL ID：200903019226725073

半導体装置の製造方法

Inventor：
渡辺 泰臣

About 渡辺 泰臣


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993183985
Publication number (International publication number)：1995045676
Application date： Jul. 26, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ウェハの汚染を抵抗値の変化として客観的に確認できるようにして、素子の特性劣化の原因究明にあたっての指針及び製造履歴の把握並びに最適な製造設備への転換を効率よく促進させる。【構成】 ウェハ処理工程におけるシリコン基板21の抵抗変化を4探針法にて検出することができる抵抗検出部12を形成しながら固体撮像素子を製造する。この場合、シリコン基板21上に素子間分離のためのフィールド絶縁層28を形成した後、このフィールド絶縁層28に対して4つのコンタクトホール29a,29b,29c及び29dを形成し、その後、4つのコンタクトホール29a,29b,29c及び29dを介してシリコン基板21表面に不純物をイオン注入して、シリコン基板21表面に4つの不純物拡散領域38a,38b,38c及び38dを形成して抵抗検出部12を作製する。
Claim (excerpt)：
素子間分離工程、素子形成工程及び配線工程を有するウェハ処理工程を経てウェハ上に半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、上記ウェハ処理工程における上記ウェハの抵抗変化を4探針法にて検出することができる抵抗検出手段を形成しながら半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/14
FI (2)：
H01L 21/76 L ,  H01L 27/14 K
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 特開昭59-178741
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-186011   Applicant：九州日本電気株式会社
  • 特開昭63-234578

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