単結晶SiCおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江孝一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997172017
Publication number (International publication number)：1999012100
Application date： Jun. 27, 1997
Publication date： Jan. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に少ない高品位の単結晶を生産性よく製造することができるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基板1と非晶質もしくはβ-SiC多結晶板2とを平滑に研磨された研磨面1a,2aを介して密着させた後、その複合体Mを1850°Cの高温で、かつSiC飽和蒸気圧の雰囲気中で熱処理することにより非晶質もしくはβ-SiC多結晶板2を再結晶化してα-SiC単結晶基板1の結晶軸と同方位に配向された単結晶を一体に育成させる。

Claim (excerpt)：

α-SiC単結晶基板と非晶質もしくはβ-SiC多結晶板とが平滑に研磨された研磨面を介して密着されてなる複合体を熱処理して上記非晶質もしくはβ-SiC多結晶板を再結晶化することにより、上記α-SiC単結晶基板の結晶軸と同方位に配向された単結晶を一体に成長させている単結晶SiC。

IPC (3)：

C30B 33/06 , C30B 29/36 , C30B 33/02

FI (3)：

C30B 33/06 , C30B 29/36 A , C30B 33/02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開昭57-092591
単結晶SiCおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-207039 Applicant：日本ピラー工業株式会社

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