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J-GLOBAL ID：200903019249662192

半導体レーザ装置

Inventor： 荒木 壮一郎
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991190421
Publication number (International publication number)：1993037074
Application date： Jul. 31, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 出力レーザ光の偏光を制御した垂直共振器型半導体レーザ装置を得る。【構成】 GaAs基板1上にn型に不純物添加されたGaAsとAlAsの多層膜よりなる第1の反射ミラー層2、n型に不純物添加されたAlGaAsよりなる第1の閉じ込め層3、不純物添加されていないInGaAsとInAlAsの量子細線周期構造を不純物添加されていないAlGaAsで挟んだ活性層4、p型に不純物添加されたAlGaAsよりなる第2の閉じ込め層5、p型に不純物添加されたGaAsとAlAsの多層膜とAu金属電極と両者の間に形成されたGaAsキャップ層よりなる第2の反射ミラー層6を形成する。偏光方向によって禁制帯幅が異なる量子細線構造によって活性層5が形成されているので、反射ミラー層2および反射ミラー層6によって形成される共振器の共振波長を偏光方向によって活性層5の禁制帯幅に差がある波長に合わせることによって偏光方向を制御できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、第1の反射ミラー層,活性層,第2の反射ミラー層を順次積層して構成した垂直共振器型の半導体レーザ装置において、前記活性層が第1の禁制帯幅の半導体細線と前記第1の禁制帯幅より広い第2の禁制帯幅を持つ半導体細線とからなる周期構造を有し、前記周期構造が面内方向において量子効果を生ずる程度の周期を持ち、前記第1の反射ミラー層と前記第2の反射ミラー層とで形成される共振器の共振波長が偏光方向によって前記活性層の利得に差がある波長であることを特徴とする半導体レーザ装置。