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J-GLOBAL ID：200903019259244712

異種材料成長方法

Inventor： 渡辺 明禎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991304457
Publication number (International publication number)：1993144729
Application date： Nov. 20, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【構成】半導体基板1と、成長層に基板の格子定数の値は伝搬しないで、基板の結晶方位の情報のみを伝搬する役目を持つ数nmの単結晶ドット2とアモルファス層3,その上に成長させた異なる材料の単結晶膜4。【効果】Si基板の格子定数はその上に成長させたGaAs膜に伝搬しないのでGaAs膜に転位が入りにくく、転位密度は従来の二段階成長法に較べ、二桁から三桁ほど小さくできる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に数nm程度の単結晶のドットをアモルファス等により埋め、前記ドットの先端を核としてアモルファス上に前記半導体基板とは異なる材料の単結晶を成長させることを特徴とする異種材料成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205