窒化物半導体素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999062589
Publication number (International publication number)：1999330554
Application date： Mar. 10, 1999
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【目的】主としてLED、LD等の窒化物半導体素子の出力を向上させると共に、Vf、閾値を低下させて素子の発光効率を向上させる。【構成】 n側の窒化物半導体層と、p側の窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記n側の窒化物半導体層には、Inを含む第1の窒化物半導体層と、その第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されたn側多層膜層を有し、前記第1の窒化物半導体層、または前記第2の窒化物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚が100オングストローム以下である。特に多層膜を超格子構造とすることにより活性層の結晶性が良くなるので素子の効率が向上する。

Claim (excerpt)：

n側の窒化物半導体層と、p側の窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記n側の窒化物半導体層には、Inを含む第1の窒化物半導体層と、その第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されたn側多層膜層を有し、前記第1の窒化物半導体層、または前記第2の窒化物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚が100オングストローム以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18 673

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18 673

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-237468 Applicant：株式会社東芝
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-154708 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-013393 Applicant：シャープ株式会社

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