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J-GLOBAL ID：200903019262382387

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

Inventor： 鈴木 慎一 ,  高橋 理 ,  黒木 啓二 ,  西尾 良司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998295255
Publication number (International publication number)：2000124299
Application date： Oct. 16, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ウエハの裏面に静電吸着部材を密着させる。【解決手段】 ドライエッチング装置1の真空チャンバ6内には下部電極2と上部電極3が設置され、下部電極2には弾性変形可能な支持体12の上面に誘電体13が形成された静電吸着部材11が組み込まれている。静電吸着部材11の下方の中空部14には圧力センサ20を有する加圧ライン16と減圧ライン17が接続され、中空部14内には静電吸着部材反りセンサ21とウエハ反りセンサ22とが配置されている。コントローラ23は各センサの検出値に基づき中空部14の内圧を制御し静電吸着部材11の変形量を制御するようになっている。【効果】 中空部の内圧を制御して静電吸着部材11を反らせてウエハに密着させることで、静電気の抵抗が均一になるため、ウエハ面内での電流値が均一になり、静電気ダメージによるゲートの破壊を防止できる。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハが静電吸着部材に保持された状態で、処理が施される処理工程を備えている半導体装置の製造方法において、前記静電吸着部材が前記半導体ウエハの裏面に合わせて変形された状態で前記半導体ウエハを保持することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/68 R ,  H01L 21/302 B

F-Term (11)：

5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BB22 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CA02 ,  5F004DB09 ,  5F031CA02 ,  5F031HA17 ,  5F031MA32